可關斷晶閘管也屬于PNP四層三端結構，其等效電路與普通晶閘管相同。盡管它與普通晶閘管在結構和觸發(fā)導通原埋上相同，但兩者的關斷原理及關斷方式卻截然不同。普通晶閘管導通后欲使其關斷，必須使正向電流低于維持電流IH，或施加反問電壓強迫關斷。而可關斷晶閘管導通后欲使其關斷，只要在控制極上加負向觸發(fā)脈沖即可。這種關斷原理上的區(qū)別就在于晶閘管導通之后的飽和狀態(tài)不同。普通晶閘管在導通之后即處于深飽和狀態(tài)，而可關斷晶閘管導通后只處于臨界飽和狀態(tài)，所以只要給控制極上加上負向觸發(fā)信號即可關斷。
可關斷晶閘管的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是在大功率UPS供電系統(tǒng)中,在整流電路、靜態(tài)旁路開關、無觸點輸出開關等電路中得到廣泛的應用。
(1)反向特性
當門極G開路,陽極加上反向電壓時,J2結正偏,但J1、J2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓后,同時J3結也擊穿,電流迅速增加,特性曲線OR段開始彎曲,彎曲處的電壓URO稱為“反向轉折電壓”。此后,會發(fā)生性反向擊穿。
(2)正向特性
當門極G開路,陽極A加上正向電壓時,J1、J3結正偏,但J2結反偏,這與普通PN結的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態(tài),當電壓增加,如圖2的特性曲線OA段開始彎曲,彎曲處的電壓UBO稱為“正向轉折電壓”。
由于電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓后,J2結發(fā)生雪崩倍增效應,在結區(qū)產生大量的電子和空穴,電子進入N1區(qū),空穴進入P2區(qū)。進入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結注入N1區(qū)的空穴復合。同樣,進入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結注入P2區(qū)的電子復合，雪崩擊穿后，進入N1區(qū)的電子與進入P2區(qū)的空穴各自不能全部復合掉。這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結果使P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結變成正偏，只要電流稍有增加,電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負阻特性，見圖2中的虛線AB段。這時J1、J2、J3三個結均處于正偏，便進入正向導電狀態(tài)——通態(tài),此時，它的特性與普通的PN結正向特性相似，如圖2的BC段。
(3)觸發(fā)導通
在門極G上加入正向電壓時,因J3正偏,P2區(qū)的空穴進入N2區(qū),N2區(qū)的電子進入P2區(qū),形成觸發(fā)電流IGT。在晶閘管的內部正反饋作用的基礎上,加上IGT的作用,使晶閘管提前導通,導致伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。
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更新時間：2021-10-25 
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